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黄青松

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论文成果

R. Yang, Q. S. Huang, *G. Y. Zhang, X. L. Chen, Hongjun Gao, Substrate Doping Effects on Raman Spectrum of Epitaxial Graphene on SiC. J. Appl. Phys., 2010, 107, 034105. （IF=2.068）

发布时间：2022-03-23 点击次数：

是否译文：否

上一条：J. Liu, *X. L. Chen, W. Wang, Q. S. Huang, and K. Zhu, Large Scale Synthesis of Porous ZnO Hollow Structures with Tunable Diameters and Shell Thicknesses, Mater. Lett., 2009, 63, 2221.（IF=2.572）

下一条：Q. S. Huang, L. W. Guo. W. J. Wang, G. Wang, W. Y. Wang, Y. P. Jia, J. J. Lin, K. Li, and *X. L. Chen. Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC (0001) by pulsed electron irradiation. Chin. Phys. Lett., 2010, 27, 046803. （IF=0.800）